上海雷卯电子-MOSFET场效应管_MOS管选型_电源管理解决方案_电磁兼容EMC免费测试供应厂家

N-Kanal-MOSFET

LCE65T1K2F

  • PackageTO-220F
  • Vdss Min(V) Drain-Source voltage650
  • Drain Current ID(A)25℃4
  • Vgs(V)30
  • Vth Typ3..4
  • Ron(10V) (mΩ)Typ950
  • Ron(10V) (mΩ) Max1100
  • Ron(4.5V) (mΩ)Typ-
  • Ron(4.5V) (mΩ)Max-
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    Funktion/anwendung
    Funktion/anwendung
    Zoek.
    untersuchung
    ver_code