Applikationen anwenden
8.1 GaN Elektrostatische Überspannung Schutzlösung
Hintergrund: Galliumnitrid (GaN) besitzt nicht die Fähigkeit, vorübergehende Überspannungen zu absorbieren. Bei Schalttransienten und Blitzüberspannungen dürfen der Überstrom und die Überspannung die Nennleistung des GaN-Geräts nicht überschreiten.
Vorteile der Lösung: Eine TVS-Diode (Transient Voltage Suppression), die an der Primärseite eines Fliegen-zurück-Transformators platziert ist, kann die Energie von Überspannungsspitzen, die durch FET-Schalttransiente erzeugt werden, effektiv absorbieren. Es reagiert schnell, weist niedrige Klemmspannung auf und ist steuerbar.
Bei dieser Lösung wird die Einzelkomponente PTVS160AF zum Schutz eingesetzt. Dieses Gerät verfügt über hohe Leistungsfähigkeiten, einen kleinen Formfaktor und spart Platz im Schaltungsdesign.
