Transiente Voltage Suppression Dioden, kurz TVS. Wenn die TVS-Pole einem umgekehrten transienten Hochenergieaufprall ausgesetzt werden, kann sie die hohe Impedanz zwischen den beiden Polen bei einer Geschwindigkeit von 10-¹² s in eine niedrige Impedanz ändern, bis zu Tausende von Watt Stoßleistung absorbieren und die Spannungsklemme zwischen den beiden Polen auf einen vorbestimmten Wert legen, wodurch die Präzisionskomponenten in der elektronischen Schaltung effektiv vor verschiedenen Stoßimpulsen geschützt werden. 

Elektronische Produkte müssen Strom sparen und effizient sein, daher müssen sie Niederspannungsnetze wie 3,3 V, 2,5 V und 1,8 V liefern. Gerade für batteriebetriebene Elektronik reicht Niederspannung nicht aus, auch ein geringer Ableitstrom ist erforderlich.

Leiditech passt sich dem Markt an und bringt eine Vielzahl von Niederspannungs-ESD und TVS auf den Markt. Jetzt TVS anzeigen: 

Dieser SMAJ3.3LIR, gekapselte SMA, niedriger Ableitstrom 100uA, Niederspannung 3,3 V, Leistung 400 W, geeignet für die Montage mit hoher Dichte, reduziert effektiv die Fläche der Leiterplatte.

Der Vorteil von geringem Dropout und niedrigem Leckstrom ist, dass die Stromversorgung ineffektiv ist und die Umwandlungseffizienz der Stromversorgung verbessert wird.

SMAJ3.3LIR kann in Automobilelektronik, intelligenter Beleuchtung, Smart Home, Handy-Schnellladung, Unterhaltungselektronik, Schaltnetzteil, Frequenzumrichter, Treiber und anderen Schaltungen weit verbreitet sein.

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Tipps zur TVS-Auswahl                                                

 1.Der Vrwm des TVS muss mehr als 10 % höher sein als die maximale Gleichspannung oder Dauerbetriebsspannung des geschützten Stromkreises, die Nennstandardspannung des Stromkreises und die "High-Side"-Toleranz. Wenn der gewählte Vrwm zu niedrig ist, kann das Gerät in eine Lawine geraten oder der normale Betrieb des Stromkreises kann durch den zu großen Rückleitstrom beeinträchtigt werden. Serielle Verbindung teilt Spannung, Parallelschaltung teilt Strom.

2. Der Vc des TVS sollte kleiner sein als die Schadensspannung des geschützten Stromkreises.

3. Die Leistung Ppp des TVS sollte größer sein als die Spitzenimpulsleistung, die in der geschützten Schaltung auftreten kann.                                                                                                             

4. Der IPP des TVS sollte größer sein als der Einschaltstrom des Schaltkreises.   

5. Für den Blitzschutz von Datenschnittstellenschaltungen wird empfohlen, Halbleiter-ESD mit niedriger Kapazität zu verwenden.

    6. Wählen Sie die Polarität und Verpackungsstruktur von TVS entsprechend der Anwendung. Es ist sinnvoller, bipolare TVS für Wechselstromkreise zu verwenden; Halbleiter-ESD-Arrays sind vorteilhafter für den Mehrleitungsschutz.