Das Verhältnis zwischen Reihenwiderstand R und Halbleiter-ESD-Schaltung Verdrahtung und Überspannungsschutz
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By LEIDITECH | 29 August 2023 | 0 Bemerkungen

Das Verhältnis zwischen Reihenwiderstand R und Halbleiter-ESD-Schaltung Verdrahtung und Überspannungsschutz


1. ReihenwiderstandRUndhalbLeiterESD In der Verdrahtung,Die in der Nähe des Schutzes platziert werden solltenIC
Überspannungsschutz in Signalleitungen,Signalleitungen stringen oft einen kleinen Widerstand als Schutzvorrichtung, um Überspannungsstrom zu unterdrücken,Als Strombegrenzungsvorrichtung。Aber für mehr Strom- und Spannungsschutz,Muss auch mit einem gekoppelt werdenTVSoderESD ,Zur folgenden StufeChipBietet höheren Überspannungsschutz。
ReihenwiderstandRundESDWie man es ausdrückt?Es ist ein Reihenwiderstand in der Nähe des geschützten Chips platziert,ESDIn der Nähe der Schnittstelle platzieren;nochESDNahe der Chipplatzierung,Reihenwiderstand in der Nähe der Schnittstelle。Shanghai Lei Mao Ingenieur entdeckte, dass die Platzierung tatsächlich anders war,Der Überspannungsschutz ist anders。
2. theoretische Analyse
Wie in der Abbildung gezeigt1Im gezeigten Fall, ESDWährend der Aktion, I=I1+I2 I>I1 bleibenR1Oberer DurchflussESDMittlerer bis größerer Strom。Obwohl die geschützte Schaltung in diesem Fall bis zu einem gewissen Grad geschützt ist,Aber WiderstandR1,Aber es kann dem Test des hohen Stroms nicht standhalten und ist beschädigt,Was zu Schnittstellenfehlern führt、Systemausfall。



Wie in der Abbildung gezeigt2Im gezeigten Fall, ESDWenn der Aktionsschutz wirksam ist, ESDDie Impedanz ist sehr niedrig, Der größte Teil des Stroms fließt ausESDMittlere Strömung,NämlichI2 Und in derR1Strömung durchströmtI1Weit weniger alsI2,Dann ist es noch kleiner.I。Obwohl in dieser SituationESDWir müssen Dinge wie das Bild ertragen1Die gezeigte Situation zeigt eine größere Strömung, jedochESDIm Vergleich zu Widerständen ist es in der Lage, großen Strömen standzuhalten,Daher hat sich der Überspannungsschutz des Chips tatsächlich erhöht。
Abbildung im tatsächlichen Test1Vergleichsdiagramm der Überspannungsschutz-Fähigkeit der Signalschnittstelle2Die Schnittstelle ist viel schlechter。Shanghai  Leiditech  ElectronicsIngenieure entdecken oft Bilder1Schnittstellenfehler wird durch Beschädigung des Widerstands verursacht, der in Reihe mit der Schnittstellenschaltung verbunden ist,undESDKein Schaden;Diagramm2Schnittstellenfehler ist aufESDDurch Ausfall und Kurzschluss verursacht,Der Widerstand wird nicht beschädigt。Daraus kam Shanghai Lei Mao Ingenieur zu dem Schluss:Widerstand in der Nähe des Chips,undESDIn der Nähe der Schnittstelle platziert, hat diese Kombination stärkere Schutzfähigkeiten。
Es ist zu beachten, dass,Bei der Gestaltung der Verteidigung Überspannungsschutzkreis Stunde,Passende Reihenwiderstände sollten entsprechend den spezifischen Anwendungsanforderungen ausgewählt werdenTVS。Die Auswahl des Widerstandswertes liegt in der Regel zwischen zehn bis hundert Ohm,Ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Signalqualität und Schutzeffektivität sollte in Betracht gezogen werden。TVSDie Nennspannung sollte größer als die erwartete Überspannung sein。

3. Empfohlene Schutzschaltung für Shanghai Leiditech Interface Circuit 1RS485Überspannungsschutz für die Schnittstelle


2)RS232Überspannungsschutz für die Schnittstelle

3RS485Liste der Komponenten für den Überspannungsschutz

4RS232Liste der Komponenten für den Überspannungsschutz


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